使用计算电阻分压器网络对双极晶体管的两端进行偏置,以确保最佳性能和开关响应,这种方法称为分压器偏置。
在里面之前设计的偏见我们了解了偏置电流ICQ和电压V量表信是BJT电流增益(β)的函数。
但是,正如我们知道β可以容易受到温度变化,特别是对硅晶体管,以及β的真正价值往往是不正确的识别,这可能是明智的开发一个分压器的偏见是电路可能不易温度,或者,仅仅是独立的测试本身。
图4.25中的分压器偏置布置可以被认为是这些设计之一。
当用一个确切的依据对β的变化的敏感性看起来非常谦虚。如果电路变量适当地制定出来,则i的水平CQ和V.量表信可以完全独立于beta。
请记住前面的解释,q点的特征是ICQ和VCEQ的固定水平,如图4.26所示。
I度BQ可以根据测试版的变化来改变,但是围绕i识别的特征的操作点CQ和V.量表信如果应用适当的电路指南,可以很容易保持不变。
正如上面提到的,你会发现一些方法,可以用来调查电压分压器的设置。
为这条赛道选择特定名称背后的原因将在我们的分析中变得明显,并将在未来的帖子中讨论。
第一个是精确的技术可以在任何电压分频器设置上进行。
第二个叫做近似方法,当满足某些因素时,其实现变得可行。的近似的方法以最小的努力和时间实现更直接的分析。
此外,这对于“设计模式”非常有用,我们将在后面的章节中讨论。
总的来说,自从“近似的方法”可以在大多数条件下工作,因此必须用与之相同的关注程度评估“确切的方法”。
准确的分析
让我们学习如何的方法精确分析可以用下面的解释实现吗
参考下图,在直流分析中,网络的输入侧可以再现如图4.27所示。
的戴维南等效在BJT基地B的左侧设计的网络,则可以按照如下图所示的方式确定:
仅仅:输入供电点由等效的短路代替,如图4.28下面。
eth:电源电压源VCC施加回电路,以及在图4.29中出现的开路触管电压,如下所述评估:
利用分压器规则,我们得到如下方程:
接下来,通过如图4.30所示重新创建Thévenin设计,我们评估IBQ首先对环路顺时针方向应用基尔霍夫电压定律:
ETh - IBRTh - VBE - IERE = 0
正如我们所知i = (β + 1B代入上面的循环,解出IB给:
方程。4.30
乍一看你可能觉得情商。(4.30)看起来很不同于其他方程发展到目前为止,然而更仔细的观察表明,该分子只是两个电压水平的差异,而分母是基本阻力+发射极电阻的结果,它反映了(β+ 1),无疑与式(4.17)非常相似(基地发射器循环)
一旦通过上述等式计算IB,就可以通过与发射器 - 偏置网络所示的相同方法识别设计中的其余大小,如下所示:
等式(4.31)
解决一个实际例子(4.7)
计算直流偏置电压VCE电流IC在下面的图中显示了分压器网络图4.31
图4.31 beta稳定电路举例4.7
近似分析
在上述部分中,我们学习了“精确方法”,这里我们将讨论分析BJT电路的分压器的“近似方法”。
我们可以画出一个基于BJT的分压网络的输入级如下图4.32所示。
电阻Ri可以看作是电路基极与地线之间的等效电阻,RE可以看作是发射极与地之间的电阻。
从前面的讨论[式(4.18)]我们知道BJT基极/发射极之间复制或反射的电阻是由方程来阐述的RI =(β+ 1)RE。
如果我们认为RI比电阻R2大得多的情况,则将导致IB比I2相对小(记住电流始终尝试找到并移动到最小电阻的方向),因此I2将转向大约等于I1。
考虑IB相对于I1或I2的近似值基本为零,则I1 = I2, R1、R2可视为系列元素。
图4.32计算近似基电压V的偏置电路B.
通过应用分压器规则网络,可以计算出R2上的电压,本应是基电压,如下所示:
现在自Ri = (β + 1)RE≅β再保险公司确认近似方法的执行是否可行的条件是可行的,由等式决定:
简而言之,如果RE值与β值的乘积不小于R2值的10倍,则可以实现最优精度的近似分析
在评估VB之后,可以通过等式确定VE幅度:
而发射极电流的计算公式为:
从集电极到发射极的电压可以用以下公式来确定:
= VCC - icrc - iere
然而自IE≅集成电路,我们得到如下方程:
应该指出的是,在一系列的计算中,我们由EQ制成。(4.33)通过方程式。(4.37),元素β没有任何地方存在,并且尚未计算IB。
这意味着q点(由I确定CQ和V.量表信),因此不依赖于β的值
实例(4.8):
让我们把之前的分析应用到图4.31,并比较了ICQ和VCEQ的解。
在这里,我们观察到VB的水平与ETH的水平相同,如我们之前的示例4.7所示。这意味着基本上是,近似分析和精确分析之间的差异受重奏的影响,这负责分离Eth和VB在确切的分析中。
前进,
下一个示例4.9
让我们在β降至70的情况下对例4.7进行精确分析,找出ICQ和VCEQ解的区别。
解决方案
这个例子可能不被认为是精确和近似策略之间的比较,而只是为了测试在β的幅度减少50%的情况下,q点可能移动的程度。RTh和ETh是一样的:
以表格形式安排结果为我们提供以下内容:
从上表中我们可以清楚地看出,电路对β水平的变化相对不敏感。尽管β值显著降低了50%,从140降至70,但ICQ和VCEQ值基本一致。
下一个例子4.10
评估I的水平CQ和V.量表信对于电压分频器网络,如图4所示.433通过应用确切的和近似方法和比较所产生的解决方案。
在本场景中,Eq.(4.33)中给出的条件可能不满足,但是答案可以帮助我们识别不考虑Eq.(4.33)条件的解决方案的差异。
图4.33分压器例4.10。
使用精确分析解决:
使用近似分析求解:
从上面的评估中,我们可以看到精确方法和近似方法得到的结果之间的差异。
结果表明CQ大约高出30%的近似方法,而V量表信较低10%。虽然结果并不完全相同,但考虑到βRE=重量仅3倍,但结果实际上也不太宽。
也就是说,在我们未来的分析中,我们将主要依赖Eq.(4.33)来确保两个分析之间的最大相似性。
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所以你是说Ic =β* Ib没有申请分压器的偏见,而集成电路是由Ie进而由再保险。这就是我理解我遇到这个网页在寻找这个问题的答案我贴在栈交流。
https://electronics.stackexchange.com/questions/465386/fixing-the-collector-current-for-a-bjt-amplifier
是的,这一定是正确的,实际上我写的正是我从罗伯特·博伊尔斯塔德·路易斯·纳希尔斯基的《电子设备和理论》一书中学到的东西