低功耗MOSFET 200mA, 60volts Datasheet(数据表

这篇文章解释了一个小信号，低功率n通道mosfet 2N7000G的主要规格和引脚。

场效应管与是

当我们谈到mosfet时，我们通常将其与高电流、高电压和高功率应用联系在一起。

然而，就像普通的BJT一样，小信号mosfte也可用，可以像BJT一样有效地使用。

mosfet因其超高功率传输能力而广受欢迎，但其整体尺寸较小。

与BJTs不同，mosfet可以处理巨大的电流和电压，而不会增大本身的尺寸，也不需要中间缓冲级或高电流驱动级。

Mosfet是如何被触发的

使用mosfet的最大优点是，它可以根据需要触发操作给定负载，而不考虑栅极驱动电流。

上述特性允许mosfet直接从低电流源，如CMOS或TTL输出触发，而不需要缓冲级，与BJTs有很大的区别。

上述特性也适用于小信号mosfet，可以直接替换小信号BJTs，如BC547，以获得更有效的结果。一个这样的小信号mosfet数据表，规范在这里讨论。

它是n通道2N7000G mosfet，通常适用于200mA和60V范围内的小信号应用。

其漏极和源极的On态电阻通常在5欧姆左右。这种小信号，低功率mosfet的主要特点如下:

主要电气特性:

漏极到源极电压Vdss = 60V DCGate到源极电压Vgs = +/- 20V DC， +/- 40V DC峰值无重复，不超过50微秒漏极电流Id = 200mA DC连续，500mA脉冲

总功率耗散Pd在Tc = 250℃(接点温度)= 350 mW